 | اضافه به لیست مقایسه | اضافه به لیست مقایسه |
| مشخصات کلی | |||
|---|---|---|---|
| شرکت سازنده | سامسونگ Samsung | ||
| نوع | اینترنال | ||
| مشخصات فیزیکی | |||
| ابعاد | 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر | ||
| وزن | 9 گرم | ||
| مشخصات فنی | |||
| نوع | Internal | ||
| نوع رابط | NVMe 2.0، PCIe Gen 4.0 × 4 | ||
| ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | ||
| بازه ی ظرفیت حافظه | 500 گیگ تا 1 ترابایت | ||
| فرم فاکتور | M.2 2280 | ||
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | تا 7450 مگابایت بر ثانیه | ||
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | تا 6900 مگابایت بر ثانیه | ||
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | 1,200,000 IOPS | ||
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 1,550,000 IOPS | ||
| نوع فلش | V-NAND 3-Bit MLC | ||
| مقاوم در برابر | شوک | ||
| حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G/0.5ms | ||
| پشتیبانی از TRIM | دارد | ||
| قابلیت Smart | دارد | ||
| دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه‌ی سانتی گراد | ||
| ولتاژ | 3.3±5 ولت | ||
| سایر قابلیت ها | برخورداری از سطح کدگذاری AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)، میانگین عمر(MTBF): یک و نیم میلیون ساعت | ||
